
智通财经APP获悉,群智咨询发布2026年三季度Memory价格风向标。2026年第三季度,全球Memory市场整体供需依旧紧缺,DRAM、NAND 全品类价格维持环比上行。但相较于二季度的大幅上涨行情,本季度涨价幅度明显放缓,环比涨幅显著收敛,市场结构性分化进一步加剧。核心逻辑在于持续走高的内存颗粒价格大幅抬升终端BOM成本,终端厂商对高价接受度下降,终端客户出现暂缓拉货的现象,推动供应端收窄Q3涨价幅度。
基于群智咨询数据分析,本季度细分市场走势如下:
DRAM:价格延续上行,终端备货放缓,消费级品类涨势大幅收窄
2026Q3 DRAM市场继续维持涨价态势,但下游接受度分化明显。根据群智咨询的数据显示,以16GB DDR4 为例,环比上涨 16%。原厂仍有推价意愿,但 PC 终端受 BOM 压力影响,整机厂采购趋于保守,DDR 单价进一步上涨动能被削弱。
元股证券:ygzq.hk移动端 LPDDR 涨势受终端备货放缓影响更为突出,根据群智咨询的数据,LPDDR4X(4GB)环比上涨 7%;高端 LPDDR5X(12GB)环比仅上涨 3%。此前多轮涨价已经大幅抬高手机整机成本,手机品牌对存储报价接受度低,主动控制备货,仅保留高端旗舰机型刚需订单。叠加现货渠道部分贸易商获利清盘低价出货,进一步约束移动 DRAM 的上行空间。

整体来看,群智咨询认为三季度进入DRAM厂商与终端厂商博弈时期,AI 算力端需求虽有支撑,但消费终端采购需求受到抑制,市场博弈加剧,整体价格涨幅将大幅收敛。
AND Flash:SSD 涨幅较为坚挺,移动端受终端控成本影响,涨价弹性走弱
实盘券商配资2026Q3 NAND Flash 价格延续环比抬升,群智咨询数据显示,512GB PCIe4.0 SSD 本季度环比涨幅 14%,企业级相关需求提供一定支撑,不过消费 PC 客户涨价接受度下降,采购备货意愿亦同步收缩。
特别是移动端存储涨势明显受限,根据群智咨询数据,256GB UFS3.1 环比上涨 11%。手机终端 BOM 成本压力高企,品牌方主动减少备货量;部分现货商前期获利后选择低价清仓出货,现货价格松动,制约移动端 NAND 继续大幅涨价。尽管高端手机存储配置没有降级,但高价抑制终端采购规模。
总体而言,2026年Q3存储市场依旧处在上行周期配资账户资金安全性,但上半年价格快速大幅拉升使得三季度存储市场进入“供应与需求互相博弈、涨幅收敛”的新阶段。

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